Все настройки сохраняются на вашем устройстве.
2022
Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.
Drain current photoresponse of deep submicron SOI MOSFET with 50 nm channel length is simulated by ensemble Monte Carlo method. The photoresponse is simulated under the effect of picosecond laser pulses with 532 and 650 nm wavelengths at 5⋅1010 and 1011 W/m2 intensity. The current decay and the dynamics of generated charge carriers in the transistor channel are studied.