Барлық параметрлер сіздің құрылғыңызда сақталады.
2022
Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.
Drain current photoresponse of deep submicron SOI MOSFET with 50 nm channel length is simulated by ensemble Monte Carlo method. The photoresponse is simulated under the effect of picosecond laser pulses with 532 and 650 nm wavelengths at 5⋅1010 and 1011 W/m2 intensity. The current decay and the dynamics of generated charge carriers in the transistor channel are studied.