Low Power Near-sensor Coarse to Fine XOR based Memristive Edge Detection

Kamilya Smagulova, Aidana Irmanova, Alex Pappachen James

2018

Полный текст Открытый доступ: Green Метаданные (CSL-JSON)

DOI 10.1109/isocc.2018.8649972

Достоверность данных 70 средняя

Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

In this paper, we propose XOR based memristive edge detector circuit that is integrated into a near sensor log-linear CMOS pixel. Memristor threshold logic was used to design NAND gates, which serve as a building block for XOR gates. For validation of proposed circuit functionality hardware simulation of logic gates with a pixel pair was conducted using TSMC 0.18um technology and system-level simulation of the proposed circuit using SPICE models. The proposed method operates in low power and takes a small area on chip. The power consumption of one pixel is 1.16uW and total area 36.72 um2without photosensing component. The power consumption of NAND circuit is 1.11pW and total area 32.4um2.