Low Power Near-sensor Coarse to Fine XOR based Memristive Edge Detection

Kamilya Smagulova, Aidana Irmanova, Alex Pappachen James

2018

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Green Метадеректер (CSL-JSON)

DOI 10.1109/isocc.2018.8649972

Деректер сенімділігі 70 орташа

Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

In this paper, we propose XOR based memristive edge detector circuit that is integrated into a near sensor log-linear CMOS pixel. Memristor threshold logic was used to design NAND gates, which serve as a building block for XOR gates. For validation of proposed circuit functionality hardware simulation of logic gates with a pixel pair was conducted using TSMC 0.18um technology and system-level simulation of the proposed circuit using SPICE models. The proposed method operates in low power and takes a small area on chip. The power consumption of one pixel is 1.16uW and total area 36.72 um2without photosensing component. The power consumption of NAND circuit is 1.11pW and total area 32.4um2.