Determination of the vacancy migration energy in fcc metals using a modified embedded-atom method

B. M. Iskakov, K. B. Baigisova, Г. Г. Бондаренко

2014

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1134/s003602951403015x
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

A modification for the embedded-atom method is proposed to calculate the vacancy migration energy in fcc metals, and this modification is based on a bimodal electron density distribution in a crystal. This modified method makes it possible to use the Coulomb potential with only one adjustable parameter, namely, the effective charge, instead of semiempirical formulas with many adjustable parameters. The Coulomb potential of interaction of atomic cores and conduction electrons is used to calculate the vacancy migration energies in fcc metals.