Determination of the vacancy migration energy in fcc metals using a modified embedded-atom method

2014

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1134/s003602951403015x
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

A modification for the embedded-atom method is proposed to calculate the vacancy migration energy in fcc metals, and this modification is based on a bimodal electron density distribution in a crystal. This modified method makes it possible to use the Coulomb potential with only one adjustable parameter, namely, the effective charge, instead of semiempirical formulas with many adjustable parameters. The Coulomb potential of interaction of atomic cores and conduction electrons is used to calculate the vacancy migration energies in fcc metals.