Subthreshold Radiation Damage in Few-Layer Graphene Nanostructures Due to Low-Energy Electron Irradiation

2021

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.9734/bpi/naer/v10/11530d
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Some preliminary results of experimental study (Raman spectroscopy, electron and optical microscopy, Auger spectroscopy) and theoretical discussion with computer modeling of few-layer graphene nanostructures, irradiated by SEM electron beams in the range 0.2 - 30 keV at room temperature with intensities varied in a wide interval on insulating (SiO2) and metallic (Ni foils) substrates are presented. The Raman spectroscopy data from irradiated specimens showed the obvious effect of substrate by all used beam energies. In the paper a new possible physical mechanism of subthreshold radiation structural damaging in a few-layer graphene and similar nanostructures is suggested.