Subthreshold Radiation Damage in Few-Layer Graphene Nanostructures Due to Low-Energy Electron Irradiation

2021

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.9734/bpi/naer/v10/11530d
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Some preliminary results of experimental study (Raman spectroscopy, electron and optical microscopy, Auger spectroscopy) and theoretical discussion with computer modeling of few-layer graphene nanostructures, irradiated by SEM electron beams in the range 0.2 - 30 keV at room temperature with intensities varied in a wide interval on insulating (SiO2) and metallic (Ni foils) substrates are presented. The Raman spectroscopy data from irradiated specimens showed the obvious effect of substrate by all used beam energies. In the paper a new possible physical mechanism of subthreshold radiation structural damaging in a few-layer graphene and similar nanostructures is suggested.