Additive‐Free Facet Engineering of Lead‐Free Double Perovskite Single‐Crystalline Microsheets for Defect‐Related Optoelectronic Properties

2026

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1002/adfm.77721
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

ABSTRACT Facet engineering of lead‐free halide double perovskites is pivotal for regulating their microscopic physicochemical properties but remains highly challenging. Here, we synthesize Cs 2 AgBiBr 6 single‐crystalline microsheets with exposed (100) and (111) facets via an additive‐free, intermediate state‐dependent spatially confined anti‐solvent crystallization method. The (111) facet of Cs 2 AgBiBr 6 is thermodynamically preferred, possessing the lowest intrinsic surface energy, while our synthetic strategy effectively stabilizes the energetically unfavorable (100) facet. We demonstrate remarkable optoelectronic differences in different exposed facets of Cs 2 AgBiBr 6 . Specifically, the (100)‑faceted Cs 2 AgBiBr 6 possesses a higher surface defect‑state density, which directly results in a dark current one order of magnitude lower than that of its (111)‑faceted counterpart, while the (111)‑faceted crystals yield a higher photocurrent. This work not only provides a synthetic strategy for the facet engineering of lead‐free halide perovskites, but it also offers key insights into the directed optimization of their optoelectronic properties.