Additive‐Free Facet Engineering of Lead‐Free Double Perovskite Single‐Crystalline Microsheets for Defect‐Related Optoelectronic Properties

2026

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1002/adfm.77721
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

ABSTRACT Facet engineering of lead‐free halide double perovskites is pivotal for regulating their microscopic physicochemical properties but remains highly challenging. Here, we synthesize Cs 2 AgBiBr 6 single‐crystalline microsheets with exposed (100) and (111) facets via an additive‐free, intermediate state‐dependent spatially confined anti‐solvent crystallization method. The (111) facet of Cs 2 AgBiBr 6 is thermodynamically preferred, possessing the lowest intrinsic surface energy, while our synthetic strategy effectively stabilizes the energetically unfavorable (100) facet. We demonstrate remarkable optoelectronic differences in different exposed facets of Cs 2 AgBiBr 6 . Specifically, the (100)‑faceted Cs 2 AgBiBr 6 possesses a higher surface defect‑state density, which directly results in a dark current one order of magnitude lower than that of its (111)‑faceted counterpart, while the (111)‑faceted crystals yield a higher photocurrent. This work not only provides a synthetic strategy for the facet engineering of lead‐free halide perovskites, but it also offers key insights into the directed optimization of their optoelectronic properties.