Nanometer size hole fabrication in 2d ultrathin films with cluster ion beams

Z. A. Insepov, Ardak Ainabаyev, Sean R. Kirkpatrick, M. Walsh, Anatoly F. Vyatkin

AIP Advances, 2017

Полный текст Открытый доступ: Gold Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1063/1.4996185
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Gas cluster ion beams are proposed as a new tool for producing nanometer sized holes in ultrathin 2D films. Surfaces of films of graphene, graphene oxide, MoS2, and HOPG, and also silicon as a reference, were irradiated by Ar gas cluster ion beams (Exogenesis Corporation, Billerica, MA USA). The results were analyzed using atomic force microscopy (AFM) and Raman spectroscopy. Ar gas cluster ion acceleration energy was 30 keV and total ion fluences ranged from 1×108 to 1×1013 cm-2. Uniformly distributed holes, typically in the range of 10 to 25 nanometers in diameter, produced by the cluster ions, were observed on the surface of graphene oxide. To the best of our knowledge, this is first experimental observation of such holes.