Nanometer size hole fabrication in 2d ultrathin films with cluster ion beams

Z. A. Insepov, Ardak Ainabаyev, Sean R. Kirkpatrick, M. Walsh, Anatoly F. Vyatkin

AIP Advances, 2017

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1063/1.4996185
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Gas cluster ion beams are proposed as a new tool for producing nanometer sized holes in ultrathin 2D films. Surfaces of films of graphene, graphene oxide, MoS2, and HOPG, and also silicon as a reference, were irradiated by Ar gas cluster ion beams (Exogenesis Corporation, Billerica, MA USA). The results were analyzed using atomic force microscopy (AFM) and Raman spectroscopy. Ar gas cluster ion acceleration energy was 30 keV and total ion fluences ranged from 1×108 to 1×1013 cm-2. Uniformly distributed holes, typically in the range of 10 to 25 nanometers in diameter, produced by the cluster ions, were observed on the surface of graphene oxide. To the best of our knowledge, this is first experimental observation of such holes.