A Multichannel Detector for Monitoring the Degradation of Scintillation and Semiconductor Detectors in Low-Intensity Heavy-Ion Beams

2020

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1134/s0020441220030057
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Abstract— The description of detectors based on measuring the secondary-emission current and results of their tests are presented. Multichannel profilometers with a range of n × 103 to 109 ions/(cm2 s) have been created. This range is largely overlapped with the range from a few units to 106 ions/(cm2 s), which is characteristic of scintillation and semiconductor detectors. Current profilometers are used in the region of the overlap to monitor their degradation under exposure to the beam. The current profilometers are used in the transit of low-intensity beams, and their sensitivity is higher than the sensitivity of Al2O3 phosphors and Faraday cups by four orders of magnitude. A three-lamel probe has been created based on the secondary emission to measure the current of the internal accelerator beam with a lower-range value of 0.1 pA.