Electrochemical deposition of indium: nucleation mode and diffusional limitation

2016

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1134/s1023193516020087
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

the electrochemical deposition of indium metal from InCl 3 solutions was investigated. Cyclovoltammetric experiments showed that the initial hydrogen evolution reaction, observed together with the metal deposition on Pt surface, is blocked when the surface is covered by In. At large cathodic potentials, the current is diffusion-limited. The scan rate dependence of cyclovoltammograms allowed the determination of the diffusion coefficient of In 3+ ions, 8.18 × 10 –6 cm 2 /s, using the Delahay equation. The activation energy of diffusion, determined from the temperature dependence of cyclovoltammograms, is about 0.3 eV (23 kJ/mol). Chrono-amperometric experiments are consistent with the cyclovoltammetry; the In 3+ diffusion coefficient determined using the Cottrell law is in good agreement with the value determined by the Randles-Ševčik equation. Moreover the use of the nucleation models developed by Scharifker and Hills showed a progressive nucleation mode. Electron microscopy observations and X-ray diffraction patterns confirmed the formation of crystalline indium deposits.