Electrochemical deposition of indium: nucleation mode and diffusional limitation

2016

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1134/s1023193516020087
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

the electrochemical deposition of indium metal from InCl 3 solutions was investigated. Cyclovoltammetric experiments showed that the initial hydrogen evolution reaction, observed together with the metal deposition on Pt surface, is blocked when the surface is covered by In. At large cathodic potentials, the current is diffusion-limited. The scan rate dependence of cyclovoltammograms allowed the determination of the diffusion coefficient of In 3+ ions, 8.18 × 10 –6 cm 2 /s, using the Delahay equation. The activation energy of diffusion, determined from the temperature dependence of cyclovoltammograms, is about 0.3 eV (23 kJ/mol). Chrono-amperometric experiments are consistent with the cyclovoltammetry; the In 3+ diffusion coefficient determined using the Cottrell law is in good agreement with the value determined by the Randles-Ševčik equation. Moreover the use of the nucleation models developed by Scharifker and Hills showed a progressive nucleation mode. Electron microscopy observations and X-ray diffraction patterns confirmed the formation of crystalline indium deposits.