Electrochemically Engineered Micro-Textured InP Surface as a Compliant Buffer Layer for Advanced Electronic and Optoelectronic Heterostructures

2026

Полный текст Открытый доступ: Green Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1109/stee63704.2026.11664012
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

This presentation explores electrochemically engineered micro-textured InP surfaces as compliant buffer layers for advanced electronic and optoelectronic heterostructures. The work was presented at the 2026 IEEE 8th International Conference on Smart Technologies in Power Engineering and Electronics (STEE), held on April 27–30, 2026, in Kyiv.