Electrochemically Engineered Micro-Textured InP Surface as a Compliant Buffer Layer for Advanced Electronic and Optoelectronic Heterostructures

2026

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Green Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1109/stee63704.2026.11664012
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

This presentation explores electrochemically engineered micro-textured InP surfaces as compliant buffer layers for advanced electronic and optoelectronic heterostructures. The work was presented at the 2026 IEEE 8th International Conference on Smart Technologies in Power Engineering and Electronics (STEE), held on April 27–30, 2026, in Kyiv.