Noise analysis of CMOS-memristive and CMOS-resistive current mirrors

2018

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1109/coconet.2018.8476814
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The abundance of application of current mirror circuits in practice requires constant improvement of the circuit for dealing with various types of noise and disturbances. Such methods include introduction of CMOS, BJT, Memristors and other devices. Dealing with noise results in the improvement of a circuit's performance. This paper aims to analyze the noise behavior in the current mirror with CMOS-memristor circuit. It is primary focusing on the noise analysis in self-biased high swing cascode current mirror. The analysis includes identification of the noise characteristics in resistive and memristive CMOS current mirrors and further comparison of these characteristics. It is expected that CMOS-memristor circuit is more resistant to noise, comparing to its CMOS-resistor analog.