Aluminum doped zinc oxide layers by atomic layer deposition and magnetron sputtering: formation and comparison of optoelectronic properties

Physical Sciences and Technology, 2015

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.26577/2409-6121-2015-2-1-18-23
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Thin films of aluminum-doped zinc oxide (AZO) were prepared using magnetron sputtering and atomic layer deposition (ALD) techniques. Atomic force microscopy (AFM) studies of AZO films surface morphology show that the surface of produced by ALDfilms is a smoother in comparison with films formed by magnetron sputtering.According to comparative analysis of optical transmittance spectra in the visible range of 300 - 800 nm, films formed by ALD technique demonstrates 10% higher transparency than those that obtained by magnetron sputtering. Investigation of samples electrical properties show that the conductivity of AZO films obtained by ALD technique actually two orders of magnitude higher than analogues obtained by magnetron sputtering.