On nanoheteromorphous structure in amorphous As2S3 films prepared by different methods

Sh.Sh. Sarsembinov, Oleg Yu. Prikhodko, A.P. Ryaguzov, Suyumbika Ya. Maksimova, Yevgeniya A. Daineko, Rinat M. Iskakov, Valeri Zh. Ushanov

2010

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1002/pssc.200982738
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Abstract By the method of Raman spectroscopy as well as the methods of thermo‐gravimetric and differentially‐thermal analyses the structure of amorphous As2S3 films prepared by thermal evaporation in a vacuum and by radio frequency ion‐plasma sputtering has been studied. The techniques are strongly differing in the conditions of substance vaporization and condensation of atoms on a substrate. It was shown that the concept of nanoheteromorphism can be used to the description of these amorphous films structure. (© 2010 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)