Аннотация
В работе представлены результаты синтеза и характеризации CuBi2O4 пленок полученных методом электрохимического осаждения, а также рассмотрено влияние времени осаждения при равных условиях на формирование кристаллической структуры и морфологических особенностей пленок. Интерес к данному исследованию заключается в возможности контролируемого получения радиационно-стойких защитных пленок заданной толщины, способных защитить микроэлектронные устройства от негативного воздействия гамма- и нейтронного излучения, являющегося наиболее опасным для космических летательных аппаратов. Для синтеза пленок был использован метод электрохимического осаждения из сернокислых растворов, осаждение проводилось при разности потенциалов 3.5 В, время формирования пленок варьировалось от 10 до 90 минут, с целью определения возможности контролируемого роста пленок, а также сохранении их стабильности структурных свойств и элементного состава в процессе роста в течение длительного времени. В ходе проведенных исследований с применением метода рентгеновской дифракции установлено, что применение выбранных условий синтеза приводит к формированию устойчивой хорошо кристаллизованной фазы CuBi2O4 с тетрагональным типом кристаллической решетки. При этом увеличение времени осаждения приводит к незначительному увеличению степени структурного упорядочения в диапазоне 10 – 30 минут, которое обусловлено эффектами уплотнения пленок в процессе формирования, а также отсутствием значимых изменений степени структурного упорядочения при времени осаждения выше 50 минут (изменения находятся в пределах погрешности).