Исследование и оптимизация оптических и электрических свойств плёнок оксида индия-олова, полученных методом магнетронного напыления при различных потоках кислорода

Recent Contributions to Physics, 2020

Полный текст Открытый доступ: Gold Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.26577/rcph.2020.v73.i2.05
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Indium tin oxide is a widely used material in modern optics and electronics and has a wide range of applications from antireflection coatings to liquid crystal displays. This work is devoted to the use of indium tin oxide films in the field of solar energy. Films were obtained using magnetron sputtering, using the PVD (physical vapour deposition) method. The optimization of film synthesis modes is one of the most important tasks for solar photovoltaic. In this paper, we show the results of studying the influence of oxygen fluxes during the synthesis on a glass of indium-tin oxide films obtained by magnetron sputtering, as well as the effect of the thicknesses of the obtained films on their optical and electrical properties. Optical properties are presented as transmission spectra. Electrical properties are presented in the form of results of measurements of resistivity, mobility and concentration of carriers and their relationship with the speed of movement of the samples, the thickness and flow of oxygen. It was found that the characteristics of indium-tin oxide films depend on oxygen fluxes, as well as on the thickness of the films themselves. Annealing of films at a temperature of 300 ° C was chosen as optimization of the technological process.