Electrical conductivity of silicon quantum nanowires

Z. Zh. Zhanabaev, T.Yu. Grevtseva, Margulan Ibraimov

Physical Sciences and Technology, 2015

Полный текст Открытый доступ: Gold Метаданные (CSL-JSON)

DOI 10.26577/2409-6121-2015-2-1-37-43

Достоверность данных 70 средняя

Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

We suggest a new theory for the description of electrical conductivity of semiconductor quantum nanowires. We take into account that oscillations of quantum nanowires lead to their self-similar deformation, and because of interaction between nanowires they form fractal clusters. Electrical potential of these structures is described via nonlinear fractal measures. We conclude that current-voltage characteristics of quantum nanowires contain hysteresis loops with oscillations. This fact corresponds to existence of negative differential resistance due to multi barrier tunneling effect in the described fractal structures.Our theoretical results have been confirmed by results of corresponding specific experimental study of nanoscale wire-like structures in silicon.