Photoelectric Properties in Amorphous Chalcogenide Glassy Semiconductor As40Se30S30 Films

2010

Полный текст Открытый доступ: Gold Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.18321/ectj212
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Bipolar photoconductivity and bipolar drift of charge carriers have been established in amorphous chalcogenide glassy semiconductors As40Se30S30 films, obtained by ion-plasma rf sputtering, in contrast to the films of these materials obtained by thermal evaporation. Observed results were due to the lack of deep traps for electrons in the spectrum of localized film states obtained by ion sputtering.