Photo-Structural Transformations in Amorphous Chalcogenide Glassy Semiconductor Films

2010

Полный текст Открытый доступ: Gold Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.18321/ectj56
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

The absence of deep traps for electrons in the spectrum of As40Se30S30 localized states films obtained by ion sputtering was determined. Bipolar drift of charge carriers was found in amorphous As40Se30S30 films of chalcogenide glassy semiconductors, obtained by ion-plasma sputtering of high-frequency, unlike the films of these materials obtained by thermal evaporation.