Comparative study of ion channeling and implantation into Si(110), SiC(110), GaP(110), AsGa(110)

A. M. Rasulov, A.A. Dzhurakhalov, Farid F. Umarov, Sh. D. Sultonov, A. A. Khaydarov

2005

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1117/12.639990
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

A comparative study of 1-5 keV P+ ions channeling in thin (dZ=5OOÅ) and thick Si(110), SiC(110), GaP(110) and AsGa(110) crystals has been carried out by computer simulation within binary collision approximation. The ion ranges, energy losses, angular and energy distributions, as well as depth profile distribution have been calculated. It was shown that for paraxial part of a beam the main contribution to the total energy losses comes from inelastic ones. It has been established that energy and depth profile distributions depend on width of channel in the direction <110> and mass of target atoms.