Fractality of Nanostructured Semiconductor Films

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 2007

Полный текст Открытый доступ: Gold Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1380/ejssnt.2007.132
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

We present a model of spatial distribution of electrons, holes, clusters of intrinsic and admixtures (defects of different types) in nanostructured semiconductor thin films. We obtain intermittent, heterogeneous distributions of concentration typical for images of surfaces obtained by scanning tunneling microscopy, atomic-force microscopy and electron microscopy by numerical analyses.[DOI: 10.1380/ejssnt.2007.132]