Ab-Initio Calculations of Oxygen Vacancy in Ga 2 O 3 Crystals

Abay B. Usseinov, Zh. Koishybayeva, Alexander Platonenko, Abdirash T. Akilbekov, Juris Purans, Vladimir A. Pankratov, Yana Suchikova, Anatoli I. Popov

2021

Полный текст Открытый доступ: Gold Метаданные (CSL-JSON)

DOI 10.2478/lpts-2021-0007

Достоверность данных 85 высокая

Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Abstract Gallium oxide β-Ga 2 O 3 is an important wide-band gap semiconductor. In this study, we have calculated the formation energy and transition levels of oxygen vacancies in β-Ga 2 O 3 crystal using the B3LYP hybrid exchange-correlation functional within the LCAO-DFT approach. The obtained electronic charge redistribution in perfect Ga 2 O 3 shows notable covalency of the Ga-O bonds. The formation of the neutral oxygen vacancy in β-Ga 2 O 3 leads to the presence of deep donor defects with quite low concentration. This is a clear reason why oxygen vacancies can be hardly responsible for n-type conductivity in β-Ga 2 O 3 .