Carbon Containing Platelets in Silicon and Oriented Diamond Growth

M. Albrecht, S.B. Aldabergenova, Sh.B. Baiganatova, G. Frank, Toktar Iskataevich Taurbaev, Silke H. Christiansen, H. P. Strunk

2000

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)

DOI 10.1002/1521-4079(200007)35:6/7<899::aid-crat899>3.0.co;2-c

Достоверность данных 70 средняя

Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

We analyse be means of transmision electron microscopy techniques the processes during the initial stages of diamond growth by magnetron sputtering. We show that a comparatively high density of C is found as deep as 100 nm in the Si substrate. The carbon arranges in planar defects in {111} and in {001} lattice planes. Our analysis shows that these defects can best be described by coherently strained inclusions that resemble hexagonal SiC platelets. These can act as seeds for orientated growth of diamond on Si.