Self-organization of highly ordered mosaic structure of porous silicon at long anodic etching of p-type silicon in the electrolyte with internal current source

2011

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1109/icmt.2011.6002582
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Self-organization of highly ordered mosaic structure of porous Si at long anodic etching of p-Si (100) in electrolyte with internal source of the current is observed. Sizes of the nanocrystallites islets of porous Si, the period of their location and self-organization of the mosaic structure of porous silicon are defined by the effect of forces of elastically-deformation, defect-deformation and capillary-fluctuation that exist at the interface of electrolyte/porous Si/c-Si/ in process of pores formation. Process of spontaneous formation of mosaic structure por-Si has place in results from relaxation of the elastically-strained layer of porous surface and effect of capillary-fluctuation forces. Conditions of development of these forces depend on the self-coordinated parameters of etching of interface heterophase of electrochemical system the electrolyte/porous Si/c-Si/ and parameters of electrodes and electrochemical cell.