A Machine Learning-Based Microwave Device Model for Fully Printed VO2 RF Switches

2021

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.23919/eumc48046.2021.9338125
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Fully printed vanadium dioxide (VO2) based Radio Frequency (RF) switches have been recently developed for advanced frequency-reconfigurable RF electronics. A reliable and versatile model for the VO2switches is required for design and simulations in the modern Computer-Aided Design (CAD) tools. This paper proposes a machine learning (ML) based model for VO2RF switches, which is much more time and resource efficient as compared to the traditional device models. The computational efficiency, accuracy and robustness of the proposed model over a frequency range of 30 GHz is demonstrated through an excellent agreement between the modelled and measured results. The comparison between the measured and modelled results demonstrate a mean-square error (MSE) of lower than 5 × 10-4and 5 × 10-3for the magnitude and phase values over the complete frequency range.