Electron transport in a stressed moiré bigraphene structure

2023

Полный текст Открытый доступ: Gold Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1016/j.rinp.2023.107140
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Within the framework of density functional theory in combination with the method of nonequilibrium Green's functions, the transport characteristics (band structure, transmission spectrum, current–voltage characteristic, and differential conductivity) of unstressed, stressed, and strongly stressed moiré bigraphene nanodevices with interlayer distances of 3.4 Å, 2.85 Å, and 1.7 Å, respectively, and consisting of two layers of graphene, where one of the layers is connected to electrodes (active graphene) and the other layer is electrically neutral (passive graphene) have been determined. It is established that, when passive graphene is twisted to certain angles before the moiré pattern is obtained (∼4° and ∼ 12°), the energy gap is opened, the value of range 1.66–1.82 eV and 3.78–4.69 eV in the unstressed state (in the stressed state 2.27–2.67 eV and 4.28–4.93 eV), respectively. It is shown that the transmission spectrum of bilayer graphene has features in the form of peak structures; with decreasing intergraphene distance these structures begin to blur and their quasiperiodic behavior is partially broken. The current–voltage characteristic of such nanostructures has areas with negative differential conductivity. Such nonlinear behavior of transport characteristics of bigraphene moiré structures can be used for the construction of electronic components of nanoelectronics on their basis.