Аннотация
Growth-stage Zn doping compensates donor-like defects in InSe, weakens Fermi-level pinning, reduces the Pt/InSe Schottky barrier, and enhances carrier injection and photodetection performance.
Growth-stage Zn doping reduces Schottky barriers and enhances the optoelectronic performance of 2D InSe
2026
Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
Как считается эта оценка
Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.