Аннотация
Бұл жұмыста металл-ототық/кремний гетероқұрылымы негізіндегі интеграцияланған фотокатодтың дайындалу жолы ұсынылды. SnO₂ жұқа қабаты p-n⁺-Si төсенішінің алдыңғы бетіне магнетронды шашырату әдісімен тұндырылып, УК аймақ фотондарын сіңіру және коррозиядан қорғау қамтамасыз етілді. Артқы интерфейске NaYF₄:Er³⁺@PbS лантанойдты жоғары-түрлендіру нанобөлшектері (Ln-UCNPs) спин-айналдыру әдісімен кіріктіріліп, ЖИҚ аймақ (1550 нм) фотондарын көрінетін жарыққа түрлендіру арқылы кең спектрлі жұту қамтылды. СЭМ талдауы SnO₂ қабатының түйіршікті морфологиясын (қалыңдығы ~140 нм) және p-n⁺ өткелінің тереңдігін (~0,6 мкм) растады. ВАС өлшеулері тунельдік заряд тасымалын және Шоттки барьерін көрсетті. Спектралдық талдау фотосезімталдықтың 400–1100 нм диапазонда, әсіресе 870–900 нм шыңында өскенін анықтады. ФЭХ сынақтары Ln-UCNPs интеграциясы фототок тығыздығын ~5 есе арттырып, суды бөлу тиімділігін жақсартқанын дәлелдеді. Бұл кешенді құрылым Si негізді фотоэлектродтардың тұрақтылығы мен спектрлік тиімділігін арттыруда перспективті шешім болып табылады.