Porous Layers as a Buffer for Synthesizing CdO/por-CdS/CdS Heterostructures

2023

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1109/elit61488.2023.10310798
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

This study presents the synthesis of the CdO/por-CdS/CdS heterostructure, where a porous CdS layer is employed as a buffer layer. The elemental composition of the structure was investigated using EDX surface mapping, where cadmium and sulfur exhibited uniform distribution, and cadmium oxide was predominantly detected on spheroidal crystallites. Raman spectroscopic analysis confirmed the presence of CdS and CdO crystalline phases, indicating the material's partial amorphousness. X-ray diffraction analysis revealed characteristic peaks for CdS and amorphous features in the structure, which might be associated with ultrafine crystallites and lattice deformations. The gathered data underscore the significance of the proposed method in synthesizing CdO/por-CdS/CdS heterostructures with porous layers serving as a buffer, paving the way for future research and the fabrication of materials for photocatalysis and magnetoelectronics.