Effect of laser-induced defects on luminescence in InP crystals

F. B. Baimbetov, N. G. Dzhumamukhambetov

1998

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1134/1.1187589
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Experimental data on luminescence in laser-modified InP crystals are compared with the theory of radiative recombination of heavily doped, compensated semiconductors. It is established that the band with maximum at 1.35 eV observed at 77 K is due to radiative transitions through the tails of the density of states which are formed as a result of the random distribution of defects and impurities showing up after laser treatment. The effective depth of the tails of the density of states is estimated to be equal to 67 meV.