Ion-Beam Synthesis of InSb Nanocrystals in Si Matrix

2013

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Hybrid Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.4028/www.scientific.net/amr.679.9
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The results of structural and optical investigation of crystalline Si with embedded InSb nanocrystals are reported. These nanocrystals were synthesized in silicon matrix by means of high-fluence “hot” implantation of Sb and In ions followed by thermal treatment. TEM gives an evidence of nanocrystal formation in implanted and annealed samples as well as an existence of microtwins and dislocation-type defects and substantial residual mechanical strains. We have identified nanocrystals as InSb from RS data. Mechanical strains in “silicon – InSb nanocrystals” system have been evaluated, too.