Fabrication and characterization of a 83 MHz high temperature β-SiC MESFET operational amplifier with an AlN isolation layer on

K.K. Diogu, Gary L. Harris, Akshay Mahajan, I. Adesida, D. Moeller, R.A. Bertram

2002

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1109/drc.1996.546420
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Summary form only given. The fabrication of a high temperature analog integrated operational amplifier implemented in /spl beta/-SiC technology using depletion-only MESFETs is presented. The operational amplifier is implemented with 1 /spl mu/m gate geometries using direct write e-beam lithography to achieve high frequency operation. For the first time, compound MESFETs have been used as current sources and sinks at the various stages of the operational amplifier to provide high output impedance and hence increased circuit gain, while maintaining a reasonable unity gain frequency. Circuit design/simulation methods, circuit layout, device modeling, device parameter extraction methods and operational amplifier circuit fabrication techniques used to achieve excellent operational amplifier characteristics will be discussed in detail.