Барлық параметрлер сіздің құрылғыңызда сақталады.
2022
Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.
The article presents a simple and cheap method to form a porous structure of Ga2O3/GaAs on the surface of monocrystalline gallium arsenide. It is shown that two-stage etching in the nitric acid solution leads to massive etching pits as well as small pores on the surface. Ethanol added to the electrolyte solution in the second stage enables to form a passivating Ga2O3layer. The obtained structures were investigated using SEM, EDX and Raman spectroscopy.