Excited States of a Hydrogen-Intrinsic Defect-Related Double Donor in Silicon

Serekbol Zh. Tokmoldin, Bulat N. Mukashev

1998

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)

DOI 10.1002/(sici)1521-3951(199812)210:2<307::aid-pssb307>3.0.co;2-0

Деректер сенімділігі 70 орташа

Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

IR absorption due to electronic excitations of a hydrogen-intrinsic defect-related double donor (H-donor) in proton-implanted silicon is studied. It is shown that a broad feature at about 600 cm−1 is due to the ionization of the Es ≈︂ Ec — 0.1 eV and Et ≈︂ Ec — 0.06 eV levels while the 375 cm−1 band is related to the Es → Et excitation. It is concluded that the Es and Et levels are connected with ground spin-singlet and excited spin-triplet neutral states of the H-donor. An analysis of Si–H bond-stretching and bond-bending local vibrational modes allows us to suggest that the H-donor is an interstitial-type complex with two possible configurations with C2/Cs- or C2v-symmetry.