A Low Temperature Cell for High Frequency Electrophysical Measurements of Semiconductor Devices

2021

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1134/s0020441221050146
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Abstract A description of an experimental measuring cell designed to study the electrophysical characteristics of semiconductor elements at low temperatures is given. In contrast to traditional two-contact devices of this type, the developed experimental cell has three measuring contacts, which make it possible to carry out electrophysical measurements of flat and volumetric samples. The working temperature range of the cell is 16 K or higher. The impedance characteristics of heterojunction silicon and perovskite solar cells were measured in the frequency ranges from 100 Hz to 5 MHz and temperatures of 120–300 K. The measurement results are in satisfactory agreement with the literature data.