Quantum-mechanical model of thermally stimulated depolarization in layered dielectrics at low temperatures

2021

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1088/1742-6596/1843/1/012011
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Abstract Built the quantum-mechanical scheme for investigating the spectrum of thermally stimulated currents of depolarization (TCDP), which allows to study the processes of relaxation of hetero-and homo-charge in hydrogen bonded crystals (HBC) with complex crystalline structure (layered silicates, crystal-hydrates), taking into account the distribution of relaxers (protons) over the energy levels of the quasi-discrete spectrum in potential image of the crystal lattice, and allows us to calculate the parameters of low-temperature relaxers by the Klinger method in the quadratic approximation over the external electric field. However, the calculation of the excess proton concentration operator was carried out in the quasi-classical approximation on the basis of the Fokker-Planck operator equation, which is solved together with the Poisson operator equation. By method of density matrix in the quadratic approximation in the external field calculated thermally stimulated depolarization currents on the basis of which the investigated size effects in the nanometer size layers associated with the shift of the maximum current of thermo-depolarization to low temperatures while reducing the thickness of the crystal layer.