Morphology of porous silicon under long anodic etching in electrolyte with internal current source

K. B. Tynyshtykbaev, Yu. A. Ryabikin, Serekbol Zh. Tokmoldin, T. Aitmukan, Bagdat A. Rakhymetov, R. B. Vermenichev

2010

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1134/s1063785010060155
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The results of electron microscopy investigation of morphology of porous silicon (PS) received under long anodic etching by using internal current source in electrolytes such as HF:H 2 O 2 :H 2 C 5 OH and HF:H 2 O 2 are presented. Mosaic structure of nanoporous silicon is observed as the islands separated by silicon ledges. It was shown that these islands are presented as assemble of oxidized nanocrystallites and silicon ledges. The results of elemental analysis of islands of oxidized nanocrystallites and silicon ledges are presented.