Exploring Support Vector Regression for Modeling of GaN HEMT

Ahmad Khusro, Mohammad Hashmi, Abdul Quaiyum Ansari

2018

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1109/imarc.2018.8877341
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

This paper, for the first time, presents a support vector regression (SVR) based small signal modelling approach for a GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT). It makes use of the nonlinear Gaussian or Radial Basis kernel function. The proposed technique has been demonstrated by modelling the small signal behavior of a 4×100μm GaN HEMT over a broad frequency range of 1-18 GHz with multi-biasing sets and measured S-parameters. An extremely good agreement has been found between the measured and the modelled performance for the complete frequency range.