Differences in local structure between amorphous As Se films prepared by different methods

2002

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1088/0268-1242/17/10/307
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The local structure of amorphous As–Se films prepared by thermal evaporation in a vacuum and by RF ion-plasma sputtering, two techniques strongly differing in the conditions of substance vaporization and condensation of atoms on a substrate, was studied by Raman spectroscopy. It was found that the local structure of the films varies. A conclusion was drawn that the differences in local structure between the films are stipulated by the fact that the matrix of the films obtained by ion sputtering contains, along with the structural units common to films deposited by the two methods, other structural units.