Synthesis and Characterization of β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs Heterostructures for Enhanced Portable Solar Cells

2024

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.15330/pcss.25.3.546-552
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

This study comprehensively details the successful synthesis of a β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs heterostructure designed for portable solar cells. Employing a combination of electrochemical etching and high-temperature oxygen annealing, we engineered a heterostructure that exhibits both crystalline and amorphous phases. XRD, SEM, and Raman spectroscopy analyses confirmed the formation of crystalline β-Ga2O3 and GaAs, with the porosity in the GaAs layer enhancing light absorption and charge collection. The potential of the heterostructure to improve photovoltaic performance is attributed to the inherent stability of Ga2O3 and the increased surface area provided by the porous GaAs.