Design of CMOS-memristor Circuits for LSTM architecture

2018

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Green Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1109/edssc.2018.8487179
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Long Short-Term memory (LSTM) architecture is a well-known approach for building recurrent neural networks (RNN) useful in sequential processing of data in application to natural language processing. The near-sensor hardware implementation of LSTM is challenged due to large parallelism and complexity. We propose a 0.18 μm CMOS, GST memristor LSTM hardware architecture for near-sensor processing. The proposed system is validated in a forecasting problem based on Keras model.