ANALYSIS OF THE OPERATING EFFICIENCY OF A POWER AMPLIFIER OPERATING IN CURRENT MODE IN 5G MOBILE SYSTEMS

Bulletin of Shakarim University Technical Sciences, 2026

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.53360/2788-7995-2026-1(21)-1
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

This paper investigates the operating principle, energy efficiency, and frequency-dependent characteristics of a current-mode class-D power amplifier (CMCD) intended for 5G FR1 (sub-6 GHz, below 6 GHz) applications, specifically within the 3.4-3.8 GHz band. The amplifier is based on a classical push-pull CMCD architecture operating in switching mode and demonstrates the potential for high theoretical efficiency by reducing switching losses through minimizing the temporal overlap between current and voltage waveforms. The analysis examines the peak drain voltage, current and voltage waveforms, load conditions, and frequency-dependent parameters. Simulation results show stable operation across 3.4-3.8 GHz, while indicating a decreasing trend in gain and efficiency as frequency increases. This behavior is attributed to increased transistor switching losses and the impact of parasitic parameters of passive components. The results confirm that the CMCD power amplifier is suitable for 5G FR1 mobile communication systems, particularly around 3.5 GHz, and that practical accuracy can be further improved by employing realistic RF transistor models (LDMOS/GaN/CMOS) and explicitly accounting for parasitic effects