Bidirectional functionality of a modified PCBM layer: Enhancing perovskite photovoltaics beyond single‐bandgap devices

InfoMat, 2025

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1002/inf2.70043
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Abstract Metal electrode corrosion driven by halide migration and interfacial defects remains a significant bottleneck limiting the operational stability and photovoltaic performance of perovskite solar cells (PSCs), particularly in devices with varied bandgaps. Herein, we present a multifunctional interface engineering strategy by incorporating the IL 1‐butylpyridinium tetrafluoroborate (BPYBF 4 ) into the PCBM electron transport layer to simultaneously address these issues. The BF 4 − anions coordinate with the Ag + , forming a corrosion‐resistant layer that mitigates iodine‐induced degradation. Concurrently, the BPY + cations react with residual PbI 2 at the perovskite surface, inducing the formation of a 1D perovskite capping layer that effectively passivates interfacial defects and suppresses ion migration. Phase‐transition process during film conversion was systematically investigated, revealing a gradual transformation of residual PbI 2 into a protective 1D perovskite structure upon BPYBF 4 incorporation. Additionally, the presence of ionized PCBM enhances surface potential alignment, promoting efficient electron extraction and reducing non‐radiative recombination losses. This strategy demonstrates broad applicability—not only enhancing the performance of 1.55 eV normal‐bandgap PSCs but also achieving outstanding efficiency for wide‐bandgap PSCs, with PCEs of 22.69% for 1.67 eV and 18.60% (certified at 17.75%) for 1.85 eV, respectively. This work provides a facile and scalable approach to simultaneously protect the electrode and stabilize the perovskite films, offering a promising strategy for varied bandgaps PSCs in both single‐junction and tandem configurations. image