Аңдатпа
Измерены спектры создания основных полос излучения при 3, 65 ÷ 4, 0 эВ и длинноволновых полос излучения при 3, 0 ÷ 3, 1 эВ, 2, 6 ÷ 2, 7 эВ и 2, 3 ÷ 2, 4 эВ в кристаллахK2SO4 и N a2SO4 при температурах 15–300 К. Показано, что эти излучения возбуждаются низкоэнергетическими фотонами с энергией 4, 6 ÷ 6, 2 эВ, а также высокоэнергетическими фотонами 6, 4 ÷ 10, 5 эВ. Во время возбуждения электроны из 1t1, 3t2, e, 2t2 орбиталей валентной зоны переходят на s состояние катиона в зоне проводимости. Дырки, возникающиена указанных орбиталях, всплывают на уровень над валентной зоной и локализуются. Основное излучение 3, 65 ÷ 4, 0 эВ возникает при рекомбинации электронов с этими локализованными дырками, находящимися над валентной зоной.